中文参数如下：
包装形式：Tube
最大功率耗散：75 W
直流电流增益 hFE 最大值：100
集电极连续电流：- 10 A
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20
增益带宽产品fT：2 MHz
最大直流电集电极电流：10 A
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
集电极—基极电压 VCBO：- 70 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor
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