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中文参数如下:
工厂包装数量:500
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:15 W
集电极连续电流:4 A
封装形式:TO-225-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:40
增益带宽产品fT:40 MHz
最大直流电集电极电流:4 A
集电极—射极饱和电压:100 V
发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
集电极—基极电压 VCBO:100 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:ON Semiconductor
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