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中文参数如下：
工厂包装数量：50
包装形式：Tube
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：12 W
直流电流增益 hFE 最大值：40
集电极连续电流：12 A
封装形式：TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：8
增益带宽产品fT：4 MHz
最大直流电集电极电流：12 A
集电极—射极饱和电压：700 V
发射极 - 基极电压 VEBO：9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
集电极—基极电压 VCBO：700 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor
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