MJD42CT4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-252-3 (DPAK)
数量：: 7611
说明：: 两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP

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MJD42CT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：20 W
集电极连续电流：6 A
封装形式：TO-252-3 (DPAK)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：30 at 300 mA at 4 V
增益带宽产品fT：3 MHz
最大直流电集电极电流：6 A
集电极—射极饱和电压：100 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
集电极—基极电压 VCBO：100 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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