MJD200TF

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: DPAK
数量：: 5868
说明：: 两极晶体管 - BJT

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MJD200TF PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：1400 mW
直流电流增益 hFE 最大值：45 at 2 A at 1 V
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：45 at 2 A at 1 V
增益带宽产品fT：65 MHz
最大直流电集电极电流：5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：8 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
集电极—基极电压 VCBO：40 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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