MJD117ITU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: IPAK
数量：: 5805
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Darlington

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MJD117ITU PDF参数资料

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中文参数如下：

包装形式：Tube
最小工作温度：- 65 C
直流电流增益 hFE 最大值：500 at 0.5 A at 3 V
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：500 at 0.5 A at 3 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
集电极—基极电压 VCBO：100 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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