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中文参数如下:
工厂包装数量:100
最小工作温度:- 55 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:400, 1000
集电极连续电流:50 A
包装形式:Tray
封装形式:TO-204-2 (TO-3)
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:0.3 W
最大直流电集电极电流:50 A
集电极—基极电压 VCBO:60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
产品种类:达林顿晶体管
制造商:ON Semiconductor
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