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中文参数如下：
电压 - 集电极发射极击穿（最大）1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）2.8V @ 15V, 300A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）300A
电流 - 集电极截止（最大）1mA
Vce 时的输入电容 (Cies)21nF @ 10V
功率 - 最大2800W
输入标准型
配置半桥
NTC 热敏电阻无
安装类型底座安装
配用BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
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