MCT5211M

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 6-DIP
数量:
 1314  
说明:
 高速光耦合器 Phototransistor
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MCT5211M-6-DIP图片

MCT5211M PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:1000
上升时间:20 us
输出设备:Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
绝缘电压:5300 Vrms
输入类型:DC
下降时间:30 us
包装形式:Bulk
封装形式:PDIP-6
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 100 C
最大功率耗散:260 mW
最大输入二极管电流:50 mA
最大反向二极管电压:6 V
最大正向二极管电压:1.5 V
最大波特率:150 kBps
RoHS:是
产品种类:高速光耦合器
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是MCT5211M的详细信息,包括MCT5211M厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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