MBT35200MT1

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TSOP-6
数量:
 3888  
说明:
 两极晶体管 - BJT Low Saturation
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MBT35200MT1 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:3000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
集电极连续电流:- 2 A
封装形式:TSOP-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 1 A at 1.5 V
增益带宽产品fT:100 MHz
最大直流电集电极电流:2 A
集电极—射极饱和电压:- 35 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 35 V
集电极—基极电压 VCBO:- 55 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是MBT35200MT1的详细信息,包括MBT35200MT1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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