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MBT35200MT1

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TSOP-6
数量：
 3888  
说明：
 两极晶体管 - BJT Low Saturation
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MBT35200MT1 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集电极连续电流：- 2 A
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100 at 1 A at 1.5 V
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：2 A
集电极—射极饱和电压：- 35 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 35 V
集电极—基极电压 VCBO：- 55 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MBT35200MT1的详细信息，包括MBT35200MT1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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