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中文参数如下:
封装:三塔
封装/外壳:三塔
安装类型:底座安装
工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 mA @ 45 V
反向恢复时间 (trr):-
速度:快速恢复 = 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 300 A
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V
技术:肖特基
二极管配置:1 对共阳极
产品状态:停产
包装:-
系列:散装
品牌:GeneSiC Semiconductor
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