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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:D-67
封装/外壳:D-67
安装类型:底座安装
不同?Vr、F 时电容:-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 150 V
反向恢复时间 (trr):-
速度:快速恢复 = 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):880 mV @ 120 A
电流 - 平均整流 (Io):120A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V
技术:肖特基
产品状态:在售
包装:-
系列:散装
品牌:GeneSiC Semiconductor
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