MBR40035CTRL

厂家：: GeneSiC Semiconductor
封装：: 双塔架
数量：: 5634
说明：: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER

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MBR40035CTRL PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：双塔架
封装/外壳：双塔架
安装类型：底座安装
工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：3 mA @ 35 V
反向恢复时间 (trr)：-
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：600 mV @ 200 A
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：200A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：35 V
技术：肖特基
二极管配置：1 对共阳极
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：GeneSiC Semiconductor

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