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中文参数如下:
输出电流:2.7 A
工作电源电压:4.2 V to 5.5 V
关闭时间(最大值):220 ns (Typ)
输出端数量:2
激励器数量:2
最小工作温度:- 40 C
封装形式:TDFN EP-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 105 C
最大功率耗散:953 mW
电源电流:4 uA
下降时间:7 ns
上升时间:14 ns
类型:High Side/Low Side
产品:MOSFET Gate Drivers
制造商:Maxim Integrated
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