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中文参数如下:
工厂包装数量:2000
上升时间:20 ns
输出设备:Photo IC
每芯片的通道数量:1 Channel
最大正向二极管电流:25 mA
绝缘电压:3750 Vrms
下降时间:6.6 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
最大功率耗散:85 mW
最大输入二极管电流:20 mA
最大反向二极管电压:5 V
最大正向二极管电压:1.8 V
最大波特率:10 Mbps
产品种类:高速光耦合器
制造商:Lite-On
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