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中文参数如下:
电压增益 dB:126.02 dB
技术:CMOS
电源电流:0.75 mA
工厂包装数量:95
最小工作温度:- 40 C
最小双重电源电压:+/- 2.375 V
最大双重电源电压:+/- 7.75 V
增益带宽生成:1.4 MHz
包装形式:Tube
最大工作温度:+ 85 C
输出电流:40 mA
关闭:No
转换速度:1.1 V/us
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
工作电源电压:4.75 V to 15.5 V
输入偏流(最大值):200 pA
输入补偿电压:11 mV
共模抑制比(最小值):60 dB
通道数量:2
RoHS:否
制造商:Texas Instruments
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