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中文参数如下:
电压增益 dB:106.02 dB
技术:BiFET
电源电流:0.3 mA
工厂包装数量:500
最小工作温度:- 55 C
最小双重电源电压:+/- 3 V
最大双重电源电压:+/- 22 V
增益带宽生成:1 MHz
包装形式:Bulk
最大工作温度:+ 125 C
关闭:No
转换速度:1 V/us
封装形式:TO-99
安装风格:Through Hole
工作电源电压:6 V to 44 V, +/- 3 V to +/- 22 V
输入偏流(最大值):50 pA
输入补偿电压:1 mV
共模抑制比(最小值):80 dB
通道数量:2
RoHS:否
制造商:Texas Instruments
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