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L14N1_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-18
数量：: 5931
说明：: 光电晶体管 3mA PHOTO TRANS

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L14N1_Q PDF参数资料

中文参数如下：

类型：Chip
上升时间：14 us
包装形式：Bulk
最小工作温度：- 65 C
最大工作温度：+ 125 C
下降时间：16 us
封装形式：TO-18
最大暗电流：100 nA
最大功率耗散：600 mW
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是L14N1_Q的详细信息，包括L14N1_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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