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KST24MTF_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOT-23-3
数量：
 8046  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KST24MTF_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最大功率耗散：350 mW
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：30 at 8 mA at 10 V
增益带宽产品fT：620 MHz
最大直流电集电极电流：0.1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
集电极—基极电压 VCBO：40 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KST24MTF_Q的详细信息，包括KST24MTF_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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