KST06MTF_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOT-23
数量:
 8496  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KST06MTF_Q PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Reel
最大功率耗散:350 mW
集电极连续电流:0.5 A
封装形式:SOT-23
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:50
增益带宽产品fT:100 MHz
最大直流电集电极电流:0.5 A
集电极—射极饱和电压:80 V
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
集电极—基极电压 VCBO:80 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KST06MTF_Q的详细信息,包括KST06MTF_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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