首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > KST06MTF_Q

KST06MTF_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOT-23
数量：
 8496  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

KST06MTF_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最大功率耗散：350 mW
集电极连续电流：0.5 A
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：50
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KST06MTF_Q的详细信息，包括KST06MTF_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • DTA023YUBTL
  • DTA014TUBTL
  • DTC015EUBTL
  • DTC044TUBTL
  • DTA043TUBTL
  • DTC123YCA-HF
  • DTA123YCA-HF
  • DTA143XCA-HF
  • DTC114WCA-HF
  • DTC113ZCA-HF

    • 相近型号推荐

    • KST10MTF图片

      KST10MTF

      两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

    • 暂无电子元件图

      KST10MTF_Q

      两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

    • KST13MTF图片

      KST13MTF

      达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial

    • 暂无电子元件图

      KST13MTF_Q

      达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial

    • KST14MTF图片

      KST14MTF

      达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial

    • 暂无电子元件图

      KST14MTF_Q

      达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC