KSP10BU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92-3
数量:
 1215  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KSP10BU PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:KSP10BU_NL
工厂包装数量:1000
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:350 mW
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:60
增益带宽产品fT:650 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
集电极—基极电压 VCBO:30 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSP10BU的详细信息,包括KSP10BU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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