中文参数如下:
包装形式:Rail
最小工作温度:- 65 C
直流电流增益 hFE 最大值:100
封装形式:IPAK
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:100
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
集电极—基极电压 VCBO:100 V
晶体管极性:PNP
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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