KSE170S

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-126-3
数量:
 99  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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KSE170S PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
频率 - 跃迁:50MHz
功率 - 最大值:1.5 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 100mA,1V
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):1.7V @ 600mA,3A
电压 - 集射极击穿(最大值):40 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A
晶体管类型:PNP
产品状态:停产
包装:-
系列:散装
品牌:onsemi

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