KSE13005H1ATU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220
数量:
 6498  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor
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KSE13005H1ATU-TO-220图片

KSE13005H1ATU PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Tube
最大功率耗散:75000 mW
集电极连续电流:1.5 A
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:10
增益带宽产品fT:4 MHz
最大直流电集电极电流:4 A
集电极—射极饱和电压:400 V
发射极 - 基极电压 VEBO:9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V
集电极—基极电压 VCBO:700 V
晶体管极性:NPN
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSE13005H1ATU的详细信息,包括KSE13005H1ATU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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