首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > KSD5041QTA_Q

KSD5041QTA_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 6363
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN/40V/5A

一、本商品被浏览0次.

KSD5041QTA_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Ammo
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：0.75 W
集电极连续电流：5 A
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：230 at 0.5 A at 2 V
增益带宽产品fT：150 MHz
最大直流电集电极电流：5 A
集电极—射极饱和电压：20 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：20 V
集电极—基极电压 VCBO：40 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSD5041QTA_Q的详细信息，包括KSD5041QTA_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：