首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > KSD362R

KSD362R

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220-3
数量：
 8406  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
KSD362R-TO-220-3图片

KSD362R PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：10MHz
功率 - 最大值：40 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 5A，5V
电流 - 集电极截止（最大值）：20μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 500mA，5A
电压 - 集射极击穿（最大值）：70 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：onsemi

以上是KSD362R的详细信息，包括KSD362R厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • ADTC143TCAQ-7
  • ADTC114ECAQ-7
  • ADTA114ECAQ-7
  • DTC015TUBTL
  • DTA015TUBTL
  • DTA015EUBTL
  • DTA023EUBTL
  • DTA023YUBTL
  • DTA014TUBTL
  • DTC015EUBTL

    • 相近型号推荐

    • KSD363O图片

      KSD363O

      两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil

    • KSD363R图片

      KSD363R

      两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil

    • KSD363Y图片

      KSD363Y

      两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil

    • KSD401G图片

      KSD401G

      两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC