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中文参数如下:
直流集电极/Base Gain hfe Min:2000
包装形式:Rail
封装形式:TO-126
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
最大集电极截止电流:10 uA
最大直流电集电极电流:3 A
集电极—基极电压 VCBO:150 V
发射极 - 基极电压 VEBO:8 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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