KSD1621TTF_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOT-89
数量:
 6138  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor
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KSD1621TTF_Q PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Reel
最大功率耗散:0.5 W
直流电流增益 hFE 最大值:560
集电极连续电流:2 A
封装形式:SOT-89
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:100
增益带宽产品fT:150 MHz
最大直流电集电极电流:2 A
集电极—射极饱和电压:25 V
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
集电极—基极电压 VCBO:30 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSD1621TTF_Q的详细信息,包括KSD1621TTF_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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