KSD1362RTU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220F-3
数量:
 7821  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KSD1362RTU PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-220-3 整包
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
频率 - 跃迁:10MHz
功率 - 最大值:20 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 5A,5V
电流 - 集电极截止(最大值):20μA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):1V @ 500mA,5A
电压 - 集射极击穿(最大值):70 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A
晶体管类型:NPN
产品状态:停产
包装:-
系列:管件
品牌:onsemi

以上是KSD1362RTU的详细信息,包括KSD1362RTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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