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KSC5302DMSTU

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-126
数量：
 5508  
说明：
 两极晶体管 - BJT
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KSC5302DMSTU-TO-126图片

KSC5302DMSTU PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Rail
最大功率耗散：25000 mW
封装形式：TO-126
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20
最大直流电集电极电流：2 A
发射极 - 基极电压 VEBO：12 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
集电极—基极电压 VCBO：800 V
晶体管极性：NPN
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSC5302DMSTU的详细信息，包括KSC5302DMSTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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