中文参数如下:
包装形式:Rail
最大功率耗散:1000 mW
封装形式:IPAK
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:20 at 0.05 A at 5 V
最大直流电集电极电流:0.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V
集电极—基极电压 VCBO:500 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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