中文参数如下:
包装形式:Rail
最大功率耗散:80000 mW
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:60
增益带宽产品fT:30 MHz
最大直流电集电极电流:8 A
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:140 V
集电极—基极电压 VCBO:160 V
晶体管极性:NPN
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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