中文参数如下:
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
包装形式:Ammo Pack
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:0.6 W
集电极连续电流:0.7 A
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
最大工作频率:170 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:90
封装形式:TO-92-3
安装风格:Through Hole
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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