KSB1017OTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220F
数量：: 3663
说明：: 两极晶体管 - BJT DISC BY MFG 2/02

一、本商品被浏览0次.

KSB1017OTU PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

包装形式：Rail
最大功率耗散：25000 mW
封装形式：TO-220F
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：70
增益带宽产品fT：9 MHz
最大直流电集电极电流：4 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 80 V
集电极—基极电压 VCBO：- 80 V
晶体管极性：PNP
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSB1017OTU的详细信息，包括KSB1017OTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：