KPDE086S-H54P-B

厂家：: CEL
封装：: TO-39
数量：: 423
说明：: INGAAS, INAS PHOTODIODE W/THEMO-

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KPDE086S-H54P-B PDF参数资料

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中文参数如下：
封装/外壳：TO-39
安装类型：通孔
工作温度：-40°C ~ 70°C
视角：-
有效面积：0.86mm2
电流 - 暗（典型值）：1nA
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：20 V
响应时间：-
不同 nm 时响应度：0.9 A/W @ 1310nm，1 A/W @ 1550nm
二极管类型：-
频谱范围：900nm ~ 1700nm
颜色 - 增强：-
波长：-
产品状态：在售
包装：-
系列：袋
品牌：CEL

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