JTDB75

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: 55AW
数量：: 3591
说明：: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW

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JTDB75 PDF参数资料

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中文参数如下：
功率 - 最大值：
封装封装/外壳：55AW
安装类型：底座安装
工作温度：200°C（TJ）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 1A，5V
功率 - 最大值：220W
增益：7dB ~ 8.2dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：-
频率 - 跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
电压 - 集射极击穿（最大值）：55V
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：Microsemi Corporation

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