JFE2140DR

厂家：: Texas Instruments
封装：: 8-SOIC
数量：: 7943
说明：: JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC

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中文参数如下：
封装：8-SOIC
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：-
电阻 - RDS(On)：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13pF @ 5V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1.5 V @ 0.1 μA
漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：-
漏源电压（Vdss）：40 V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V
FET 类型：2 N-通道（双）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：Texas Instruments

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