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中文参数如下:
包装形式:Tube
最大功率耗散:625 mW
集电极连续电流:- 600 mA
封装形式:TO-18
安装风格:Through Hole
最大直流电集电极电流:- 600 mA
发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 VDC
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V
晶体管极性:PNP
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:ON Semiconductor
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