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中文参数如下:
工厂包装数量:2000
系列:J112
电阻汲极/源极 RDS(导通):50 Ohms
功率耗散:625 mW
闸/源截止电压:- 5 V
包装形式:Ammo
封装形式:TO-92-3 Kinked Lead
安装风格:Through Hole
配置:Single
闸/源击穿电压:- 35 V
漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):5 mA
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:JFET
制造商:Fairchild Semiconductor
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