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IXYP10N65B3D1

厂家：
  IXYS
封装：
 TO-220
数量：
 6327  
说明：
 DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
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IXYP10N65B3D1-TO-220图片

IXYP10N65B3D1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：29 ns
测试条件：400V，10A，50 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：17ns/125ns
栅极电荷：20 nC
输入类型：标准
开关能量：300μJ（开），200μJ（关）
功率 - 最大值：160 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：62 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：32 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：PT
产品状态：在售
包装：XPT?, GenX3?
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXYP10N65B3D1的详细信息，包括IXYP10N65B3D1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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