IXYP10N65B3D1

厂家:
  IXYS
封装:
 TO-220
数量:
 6327  
说明:
 DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
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IXYP10N65B3D1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-220-3
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):29 ns
测试条件:400V,10A,50 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:17ns/125ns
栅极电荷:20 nC
输入类型:标准
开关能量:300μJ(开),200μJ(关)
功率 - 最大值:160 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):62 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):32 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
IGBT 类型:PT
产品状态:在售
包装:XPT?, GenX3?
系列:管件
品牌:IXYS

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