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IXTP50N25T

厂家：
  Ixys
封装：
 TO-220-3
数量：
 8658  
说明：
 MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds
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IXTP50N25T-TO-220-3图片

IXTP50N25T PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
功率耗散：400 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：60 mOhms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：250 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTP50N25T的详细信息，包括IXTP50N25T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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