IXTH3N120

厂家：: Ixys
封装：: TO-247-3
数量：: 6984
说明：: MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds

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IXTH3N120 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：32 ns
工厂包装数量：30
上升时间：15 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：18 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.5 Ohms
漏极连续电流：3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：1200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTH3N120的详细信息，包括IXTH3N120厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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