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IXTF200N10T

厂家：
  Ixys
封装：
 i4-Pac?-5
数量：
 5949  
说明：
 MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
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IXTF200N10T-i4-Pac?-5图片

IXTF200N10T PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：25
上升时间：31 ns
功率耗散：200 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：34 ns
包装形式：Tube
封装形式：ISOPLUS I4-PAC
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Dual Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0063 Ohms
漏极连续电流：120 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTF200N10T的详细信息，包括IXTF200N10T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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