IXTC200N10T

厂家：: Ixys
封装：: ISOPLUS220?
数量：: 5814
说明：: MOSFET 118 Amps 100V 5.4 Rds

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IXTC200N10T PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：50
功率耗散：160 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：ISOPLUS 220
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0063 Ohms
漏极连续电流：101 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTC200N10T的详细信息，包括IXTC200N10T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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