IXTC200N10T

厂家:
  Ixys
封装:
 ISOPLUS220?
数量:
 5814  
说明:
 MOSFET 118 Amps 100V 5.4 Rds
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IXTC200N10T-ISOPLUS220?图片

IXTC200N10T PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:45 ns
工厂包装数量:50
功率耗散:160 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Tube
封装形式:ISOPLUS 220
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0063 Ohms
漏极连续电流:101 A
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTC200N10T的详细信息,包括IXTC200N10T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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