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中文参数如下:
工厂包装数量:100
输出电压:3.3 V
输出电流:120 mA
工作电源电压:13 V
激励器数量:1
最小工作温度:- 25 C
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 125 C
最大功率耗散:500 mW
电源电流:1 mA
电源电压-最小:8.2 V
电源电压-最大:17 V
类型:Non-Inverting
产品:MOSFET Gate Drivers
RoHS:是
制造商:IXYS
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