IXFV52N30P

厂家：: Ixys
封装：: TO-220-3（SMT）标片
数量：: 7443
说明：: MOSFET 300V 52A

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IXFV52N30P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：60 ns
工厂包装数量：50
上升时间：22 ns
功率耗散：400 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：30 s
下降时间：20 ns
包装形式：Tube
封装形式：PLUS 220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.066 Ohms
漏极连续电流：52 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：300 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：IXYS

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