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IXFV15N100P

厂家：
  Ixys
封装：
 TO-220-3（SMT）标片
数量：
 7227  
说明：
 MOSFET 15 Amps 1000V 1 Rds
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IXFV15N100P-TO-220-3（SMT）标片图片

IXFV15N100P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：44 ns
工厂包装数量：50
上升时间：44 ns
功率耗散：543 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：58 ns
包装形式：Tube
封装形式：PLUS 220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.76 Ohms
漏极连续电流：15 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFV15N100P的详细信息，包括IXFV15N100P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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