IXFN100N50Q3

厂家:
  Ixys
封装:
 SOT-227-4,miniBLOC
数量:
 7821  
说明:
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A
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IXFN100N50Q3 PDF参数资料

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中文参数如下:

上升时间:250 ns
功率耗散:960 W
栅极电荷 Qg:255 nC
包装形式:Tube
封装形式:SOT-227
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):49 mOhms
漏极连续电流:82 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFN100N50Q3的详细信息,包括IXFN100N50Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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