IXFK32N100Q3

厂家:
  Ixys
封装:
 TO-264-3,TO-264AA
数量:
 8202  
说明:
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
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IXFK32N100Q3 PDF参数资料

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中文参数如下:

上升时间:250 ns
功率耗散:1250 W
栅极电荷 Qg:195 nC
包装形式:Tube
封装形式:TO-264
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):320 mOhms
漏极连续电流:32 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:1000 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFK32N100Q3的详细信息,包括IXFK32N100Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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