IXFK30N100Q2

厂家：: Ixys
封装：: TO-264AA（IXFK）
数量：: 1476
说明：: MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds

一、本商品被浏览0次.

IXFK30N100Q2 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：60 ns
工厂包装数量：25
上升时间：14 ns
功率耗散：735 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-264AA
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.4 Ohms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFK30N100Q2的详细信息，包括IXFK30N100Q2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：